RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3568
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link