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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
104
Intorno -225% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
32
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3340
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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