RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
104
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
31
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3649
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Jinyu 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link