Comparaison de la RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 20.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,404.5 15.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 104

Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 6400

Autour de 4 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

786 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns