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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
比較する
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
20.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
104
周辺 -235% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
31
読み出し速度、GB/s
3,192.0
20.5
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
15.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
3649
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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