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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
74
Intorno -124% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
33
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3341
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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