RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
8.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
45
Intorno -15% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
39
Velocità di lettura, GB/s
12.3
8.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2083
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link