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Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Confronto
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
45
Velocità di lettura, GB/s
11.7
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1691
1992
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
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