Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 20.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,303.7 15.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 117

Intorno -277% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 5300

Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

784 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns