SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 20.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,303.7 left arrow 15.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 117
    Около -277% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 5300
    Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    117 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,094.8 left arrow 20.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,303.7 left arrow 15.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    784 left arrow 3649
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения