RAM-Vergleich SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 20.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,303.7 15.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 117

Rund um -277% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 5300

Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

784 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns