SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Note globale
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 20.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,303.7 left arrow 15.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 117
    Autour de -277% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 5300
    Autour de 4.83 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    117 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,094.8 left arrow 20.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,303.7 left arrow 15.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    784 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons