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AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
総合得点
AMD R5316G1609U2K 8GB
総合得点
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
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考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
73
周辺 -135% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.5
6.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
5.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
31
読み出し速度、GB/s
6.3
20.5
書き込み速度、GB/秒
5.2
15.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1309
3649
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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