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Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
比較する
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
総合得点
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
42
周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.4
8.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
42
読み出し速度、GB/s
14.2
13.9
書き込み速度、GB/秒
9.4
8.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2520
2150
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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