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Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
42
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
39
42
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2520
2150
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
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