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Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
42
读取速度,GB/s
14.2
13.9
写入速度,GB/s
9.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2520
2150
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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