Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

総合得点

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 42

周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 13.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.6 9.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

42 37
読み出し速度、GB/s

13.2 16.0
書き込み速度、GB/秒

9.4 12.6
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2326 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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