Comparação RAM Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Pontuação geral

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

37 42

Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16 13.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.6 9.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2326 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns