RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 10.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 6.5
    テスト平均値
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 6.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2171 left arrow 1953

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB RAMの比較

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB RAMの比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
メモリRAM