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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2171
1953
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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