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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2171
1953
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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