Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 49
    周辺 51% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 5.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 8.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.8 left arrow 5.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2444 left arrow 1223
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較