Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Pontuação geral
star star star star star
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 49
    Por volta de 51% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.5 left arrow 8.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 5.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 49
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.5 left arrow 8.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.8 left arrow 5.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2444 left arrow 1223
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações