Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 49

Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 8.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.8 5.2

Valore medio nei test

Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2444 1223

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns