RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 84
    周辺 65% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 2.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    4.5 left arrow 2.4
    テスト平均値
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 84
  • 読み出し速度、GB/s
    8.3 left arrow 2.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.5 left arrow 2.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1196 left arrow 469

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB RAMの比較

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
メモリRAM
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
メモリRAM