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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Compara
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Puntuación global
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
84
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.3
2.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.5
2.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
84
Velocidad de lectura, GB/s
8.3
2.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.5
2.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1196
469
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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