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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Confronto
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
84
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.3
2.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.5
2.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
84
Velocità di lettura, GB/s
8.3
2.3
Velocità di scrittura, GB/s
4.5
2.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1196
469
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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