RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 71
    周辺 -97% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 9.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    399 left arrow 2220

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
メモリRAM