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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

総合得点
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 63
    周辺 -80% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 5.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.0 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1274 left arrow 3221

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