RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сравнить
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
63
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
17.6
Скорость записи, Гб/сек
5.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
3221
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Сравнения RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link