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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
63
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
3221
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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