RAM-Vergleich PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Gesamtnote

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 63

Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.6 6.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.1 5.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 10600

Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1274 3221

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns