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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
63
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
35
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
3221
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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