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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比較する
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
総合得点
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
総合得点
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
18.7
テスト平均値
考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
56
75
周辺 -34% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.9
2,072.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
56
読み出し速度、GB/s
2,730.3
18.7
書き込み速度、GB/秒
2,072.7
8.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
2235
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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