Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Pontuação geral

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Pontuação geral

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

2 18.7

Valor médio nos testes

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Razões a considerar
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Relatar um erro

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

56 75

Por volta de -34% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.9 2,072.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 5300

Por volta de 3.62 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

75 56
Velocidade de leitura, GB/s

2,730.3 18.7
Velocidade de escrita, GB/s

2,072.7 8.9
Largura de banda de memória, mbps

5300 19200

Other

Descrição

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

858 2235

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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