Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 18.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    56 left arrow 75
    Wokół strony -34% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.9 left arrow 2,072.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 5300
    Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    75 left arrow 56
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,730.3 left arrow 18.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,072.7 left arrow 8.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    858 left arrow 2235
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania