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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
75
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
2,072.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
56
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2235
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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