Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Puntuación global
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Puntuación global
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 18.7
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    56 left arrow 75
    En -34% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 2,072.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    75 left arrow 56
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,730.3 left arrow 18.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,072.7 left arrow 8.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    858 left arrow 2235
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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