RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.6
    テスト平均値
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 68
    周辺 -106% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 1,702.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    68 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    3,886.6 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,702.6 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    654 left arrow 3141

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
メモリRAM