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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
68
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
33
读取速度,GB/s
3,886.6
16.6
写入速度,GB/s
1,702.6
13.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
3141
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo 16GB
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