RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
68
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
3141
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link