RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
68
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3141
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link