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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 32
    周辺 25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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