RAM-Vergleich Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Gesamtnote

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 32

Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.9 11.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.6 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2196 1919

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns