Comparación de la memoria RAM Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Puntuación global

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 32

En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.9 11.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.6 7.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2196 1919

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns