Comparação RAM Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Pontuação geral

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 32

Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.9 11.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.6 7.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2196 1919

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns