Porównanie pamięci RAM Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 32

Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.9 11.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.6 7.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2196 1919

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns