RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
85
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
85
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1118
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link