RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3416
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905471-081.A00LF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link