RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
51
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2805
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link