RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3792
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link