RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2688
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link