RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3632
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link